近日，三星电子宣布，已经开始批量生产第五代V-NAND 3D堆叠闪存，同时拥有超大容量和超高速度。

近两年3D NAND发展速度十分迅猛，2018年各大厂商的之间的堆叠大战一直在进行着，目前市场中的主流产品堆叠层数各家基本持平，都保持在64层的阶段。但是这一平衡即将被打破，三星电子宣布第五代V-NAND 3D堆叠闪存已经开始量产，其堆叠层数达到96层是目前行业纪录，三星第五代V-NAND采用96层堆叠设计，内部集成了超过850亿个3D TLC CTF闪存存储单元，每单元可保存3比特数据，单Die容量达256Gb(32GB)。

三星第五代V-NAND 3D堆叠闪存业界首次采用Toggle DDR 4.0接口，传输速率提升至1.4Gbps，与前代64层堆栈的V-NAND闪存相比提升了40%。数据写入延迟仅为500微秒，比上代提升30％，而读取信号响应时间也大幅缩短到50微秒。

为了实现上述所有的改进，新一代V-NAND采用了96层层堆叠设计，它们堆叠成金字塔状结构，中间有微小孔，这些小孔用作通道，尺度仅有几百微米宽。这种制造方法包括了许多先进技术，比如电路设计、新工艺技术等。具体细节三星未详述，但该公司称，V-NAND的改进让每个存储层的厚度已经削薄了20%，并使其生产效率提高了30%以上。

据了解，三星目前正在全力扩大第五代V-NAND 3D堆叠闪存的生产线以增加产量。另外还有消息称，三星正在计划开发1TB（128GB）容量的QLC V-NAND闪存颗粒，来降低超大容量的SSD产品售价，以满足服务器、超算等高密度存储领域需求。